來源：英飛凌工業半導體

1200V 的 62mm CoolSiC™ MOSFET 半橋模組現已上市。由於採用了 M1H 晶片技術，模組在 V GS(th) 、R DS(on) 漂移和閘極驅動電壓窗口方面性能得到了改善。現可提供 2.9mΩ 1200V 新規格，帶或不帶熱界面材料（TIM）。

相關產品

FF3MR12KM1H 2.9mΩ， 1200V 62mm 半橋模組

FF3MR12KM1HP 2.9mΩ， 1200V 62mm 半橋模組 預塗 TIM

產品特點

集成體二極管，優化了熱阻

卓越的閘極氧化層可靠性

抗宇宙射線能力強

應用價值

按照應用苛刻條件優化

更低的電壓過沖

導通損耗最小

高速開關，損耗極低

對稱模組設計實現對稱的上下橋臂開關行為

標準模組封裝技術確保可靠性

62 毫米高產量生產線的生產

競爭優勢

通過碳化硅擴展成熟的 62 毫米封裝的產品，以滿足快速開關要求和低損耗的應用

電流密度最高，防潮性能強

應用領域

儲能系統

電動汽車充電

光伏逆變器

UPS

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